Forscher in IBMs Züricher Labor haben erstmals Muster eines neuartigen nichtflüchtigen Halbleiterspeichers gezeigt, der im Vergleich zu konventionellen Flash-Speichern bis zu 100 Mal schneller sind.

Von Chip:

Ihre hohe Schreib- und Lesegeschwindigkeit verdanken die PCM-Speicher der Fähigkeit, mehrere Bits pro Zelle zu speichern. Voraussetzung für die Produktionsreife allerdings war auch ein hohes Maß an Zuverlässigkeit. Das wurde jetzt durch weitere Fortschritte im Schreib- und Leseprozess erreicht. Mitunter wurden die Chips resistent gegenüber der so genannten Widerstands-Drift gemacht. Letztere hat zur Folge, dass mit der Zeit die elektrischen Eigenschaften des Chip-Materials sich verändern und stellte bis jetzt eine der Hautptschwierigkeiten bei der Umsetzung von Multi-Bit-PCM-Technologien dar.

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